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氮化硅结合碳化硅块

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最后更新: 2016-07-01 13:26
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产品详细说明
 氮化硅结合碳化硅块

具有高热强度、高电导率和优良的抗氧化性,优良的冰晶石熔体和铝液,使电阻率高、热膨胀系数低,氮化硅结合碳化硅成为最理想的侧壁衬铝电解槽。可以提高电解槽的有效容积,提高电力负荷,提高产量和延长电解槽的使用寿命。

我们选择高品质的碳化硅为原料,硅微粉为原料,协助完善晶粒尺寸分布和最佳硝化烧结过程产生Si3N4-SiC块,所以这一块功能良好的外观、尺寸准确、均匀微结构和优良的综合性能,已被应用于铝电解槽、十大容积高炉在世界成千上万。

--氮化硅结合碳化硅块的性能

项目

CM-SiC75

CM-SiC72

保证值

典型值

保证值

典型值

碳化硅 (%)

≥72.0

74.2

≥71.0

71.5

氮化硅 (%)

≥21

22.5

≥23

24.5

氧化铁 (%)

≤0.5

0.3

≤0.5

0.4

显气孔率 (%)

≤16

15

≤17

16

体积密度 (g/cc)

≥2.65

2.68

≥2.60

2.64

20℃强度,MPa

≥45

55

≥40

48

1400℃强度,MPa

≥50

62

≥45

52

成温耐压强度 (MPa)

≥150

180

≥140

180

 
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