SILICON NITRIDE BONDED SILICON CARBIDE BLOCKS

кликнуть картину и смотреть оригинал
расценка: лично обсудить
минимальное количество заказа:
общее количество поставки:
срок отправки таваров: С момента оплаты покупателей с даты ,за 30 дней отправить тавары
местонахождение: Asia China
срок действия до: долгосрочная эффективность
время обновления последного раза: 2016-07-01 14:18
количество просмотра: 790
спрашиватьОтправить по электронной почте
основные информации компании
Tel: +86-411-62885583
Email: sales@cimmuk.com
Address: 12A, Network Industry Building, No. 541 Huangpu Road, High-tech Industrial Zone, Dalian-116085, Liaoning, China.
 
 
подробное описание продукции
 SILICON NITRIDE BONDED SILICON CARBIDE BLOCKS

With high thermal strength and conductivity, excellent oxidation resistance, excellent Cryolite melt and liquid aluminum resistance, high resistivity and low thermal expansion, Si3N4 bonded SiC block has become the most ideal sidewall lining for aluminum reduction cell, which can increase the effective volume of reduction cell, raise the electric load, improve the output and prolong the service life of reduction cell.

We select high-quality SiC as raw-material and silicon fine powder as starting materials, assisting with perfect grain size distribution and optimum nitrifying-sintered processes to produce Si3N4- SiC block, so this block features good appearance, accurate dimensions, homogenous micro-structure and excellent comprehensive performance, which has been used in thousands of aluminum reduction cells and tens of large-volume blast furnaces in the world.

--Properties of Si3N4-SiC Blocks

ITEM

CM-SiC75

CM-SiC72

Guaranteed value

Typical value

Guaranteed value

Typical value

SiC (%)

≥72.0

74.2

≥71.0

71.5

Si3N4 (%)

≥21

22.5

≥23

24.5

Fe2O3 (%)

≤0.5

0.3

≤0.5

0.4

Apparent porosity (%)

≤16

15

≤17

16

Bulk density (g/cc)

≥2.65

2.68

≥2.60

2.64

MOR(20,MPa)

≥45

55

≥40

48

HMOR(1400,MPa)

≥50

62

≥45

52

CCS (MPa)

≥150

180

≥140

180

 
более»другие продукции нашей компании

[ поиск ]  [ добавить в папку ]  [ передать другу ]  [ печатать текст ]  [ закрыть окно ]


 
главная страница | карта сайта | 辽ICP备15002685号-1